非门电路的晶体管为什么p型晶体管的地基要高一块?
23 2025-07-15 17:09
在CMOS非门(即反相器)中,P型晶体管(PMOS)的“地基”(准确说是衬底或基体,Bulk/Body)需要接到最高电位(VDD),而不是“高一块”。这看起来像是“地基抬高”,但实际上是出于防止寄生结构导通和保证器件正常工作的考虑。
✅ 原因详解:
1. 防止寄生二极管导通
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PMOS的衬底是N型半导体,与源极(P+掺杂)形成一个PN结(即寄生二极管)。
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如果衬底电位低于源极(VDD),这个PN结会正向偏置,导致电流从源极流向衬底,造成漏电甚至闩锁(latch-up)。
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因此,必须将PMOS的衬底接到最高电位(VDD),使PN结始终反偏,阻断寄生电流。
2. 保证阈值电压稳定
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MOS管的阈值电压(Vth)受**衬底偏置效应(Body Effect)**影响。如果衬底与源极电位不同,Vth会升高,导致开关速度变慢。
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将PMOS衬底接VDD,使其与源极同电位(PMOS的源极接VDD),可消除体效应,保持稳定的Vth。
3. CMOS工艺的阱结构
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在CMOS工艺中,PMOS通常做在**N阱(N-well)**中,而N阱必须接最高电位(VDD),以隔离PMOS与P型衬底(接地)。
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如果N阱接地,会与P型衬底形成正偏PN结,导致芯片功能失效。
📌 对比NMOS:
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NMOS的衬底(P型)必须接最低电位(GND),原因类似:
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防止源极(N+)与衬底(P型)的PN结正偏。
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避免体效应。
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🎯 总结一句话:
PMOS的衬底接VDD是为了防止寄生二极管导通,消除体效应,并符合CMOS工艺的N阱偏置要求。
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